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IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單

發(fā)表時(shí)間:2019-05-07 瀏覽:398

胤旭機(jī)電 >> IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單 : PHOTODIODE 5 mm,AXUV20HS1 FEATURES:Circular active area、Ideal for electron detection、100% internal QE、High speed、Grid lines 5 microns,Pitch 100 microns、RoHS and REACH compliant。 THERMAL PARAMETERS STORAGE AND OPERATING TEMPE

IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單品牌簡(jiǎn)介/IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單產(chǎn)品型號(hào)/IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單供應(yīng)商

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IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單

  PHOTODIODE Ø5 mm,AXUV20HS1

  FEATURES:Circular active area、Ideal for electron detection、100% internal QE、High speed、Grid lines 5 microns,Pitch 100 microns、RoHS and REACH compliant。放大器SD7301D20-AA

  THERMAL PARAMETERS

  STORAGE AND OPERATING TEMPERATURE RANGE

  Ambient1:-10° TO 40°C1

  Nitrogen or Vacuum:-20°C TO 80°C。BILBEE溫控器

  Lead Soldering Temperature2:260°C

  1 Temperatures exceeding these parameters may create oxide growth on the active area. Over time responsivity to low energy radiation and wavelengths below 150nm will be compromised.

  20.080" from case for 10 seconds.

  Shipped with temporary cover to protect photodiode and wire bond. Review Opto Diode “Handling Precautions for IRD Detectors” prior to removing cover。VIBCO振動(dòng)器

IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS AT 25°C        
PARAMETERS TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Active Area Ø5.01mm   19.7   mm2
Responsivity, R (see graphs on next page)     A/W
Reverse Breakdown Voltage, VR R = 1µA 160     Volts
Capacitance, C VR = 0V   200 800 pF
Rise Time RL = 50Ω, VR = 150V   2 nsec
Dark Current VR = 150V     100 nA
MICRONEXT量角器

以上是對(duì)IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單品牌和產(chǎn)品型號(hào)做簡(jiǎn)單介紹。上海胤旭機(jī)電設(shè)備股份有限公司作為一家進(jìn)口貿(mào)易商,專業(yè)經(jīng)營(yíng)歐美進(jìn)口工業(yè)備件,如需從IRD探測(cè)器AXUV20HS1團(tuán)購(gòu)拼單廠商代為采購(gòu),可以來(lái)電咨詢!

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